Наукові підрозділи

Історія змін структури установи

01.01.2019

• Підрозділ «01 Теоретичної фізики» перейменовано на «01 Відділ теоретичної фізики»
• Підрозділ «01 Теоретичної фізики» перейменовано на «01 Теоретичної фізики»
• Підрозділ «01 Відділ структурного аналізу матеріалів і систем» перейменовано на «02 Структурного і елементного аналізу матеріалів і систем»
• Підрозділ «31 Лабораторія електронно-зондових методів структурного і елементарного аналізу напівпровідникових матеріалів і систем» перейменовано на «02-1 Лабораторія електронно-зондових методів діагностики матеріалів»
• Підрозділ «19 Відділ розробки і флуктуаційного аналізу напівпровідникових матеріалів і структур» перейменовано на «03 Ростових технологій напівпровідникових матеріалів і структур»
• Підрозділ «05 Відділ іонно-променевої інженерії» перейменовано на «04 Іонно-променевої інженерії»
• Підрозділ «08 Відділ оптоелектронних світлогенеруючих приладів і систем» перейменовано на «05 Оптоелектроніки»
• Підрозділ «0» перейменовано на «06 Оптики і спектроскопії напівпровідникових і діелектричних матеріалів»
• Підрозділ «03 Відділ електричних і гальваномагнітних властивостей напівпровідників» перейменовано на «07 Електричних і гальваномагнітних властивостей напівпровідників»
• Підрозділ «15 Відділ фізики і технології низьковимірних систем» перейменовано на «08 Фізики і технології низьковимірних систем»
• Підрозділ «06 Відділ напівпровідникової нанофотоніки» перейменовано на «09 Фізики поверхні та напівпровідникової нанофотоніки»
• Підрозділ «09 Відділ фізики оптоелектронних приладів» перейменовано на «10 Фізики оптоелектронних приладів»
• Підрозділ «04 Відділ фізики дефектів і нерівноважних процесів у складних напівпровідниках» перейменовано на «10-1 Лабораторія фізики дефектів і нерівноважних процесів у складних напівпровідниках»
• Підрозділ «23 Лабораторія технології матеріалів для оптоелектроніки» перейменовано на «10-2 Лабораторія технології матеріалів для оптоелектроніки»
• Підрозділ «41 Лабораторія модуляційно-поляризаційної спектроскопії» перейменовано на «11-1 Лабораторія фізики і техніки модуляційної поляриметрії»
• Підрозділ «42 Лабораторія багатофункціональних композитних матеріалів» перейменовано на «11-2 Лабораторія багатофункціональних композитних матеріалів»
• Підрозділ «43 Лабораторія напівпровідникових сенсорів ультрафіолетового випромінювання» перейменовано на «11-3 Лабораторія напівпровідникових сенсорів УФ та ІЧ випромінювання»
• Підрозділ «46 Лабораторія фізико-технологічних проблем сенсорної електроніки» перейменовано на «11-4 Лабораторія фізико-технологічних проблем сенсорної електрроніки»
• Підрозділ «20 Відділ хімії напівпровідників» перейменовано на «13 Хіміко-технологічний»
• Підрозділ «21 Відділ фотохімічних явищ в напівпровідниках» перейменовано на «14-1 Лабораторія інтерференційної фотолітографії»
• Підрозділ «49 Лабораторія оптоелектронних молекулярно-напівпровідникових систем» перейменовано на «15-1 Лабораторія оптоелектронних молекулярно-напівпровідникових систем»
• Підрозділ «13 Відділ оптоелектронних функціональних перетворювачів» перейменовано на «16 Функціональних перетворювачів для сенсорної техніки»
• Підрозділ «38 Лабораторія "Центр випробувань і діагностики напівпровідникових джерел світла та освітлювальних систем на їх основі"» перейменовано на «5-1 Лабораторія "Центр випробувань і діагностики напівпровідникових джерел світла та освітлювальних систем на їх основі "»
• Підрозділ «10 Відділ фізико-технічних основ оптоелектроніки» перейменовано на «5-2 Лабораторія фізико-технічних основ оптоелектроніки»
• Підрозділ «34 Лабораторія оптичної субмікронної спектроскопії» перейменовано на «6-1 Лабораторія оптичної субмікронної спектроскопії»
• Підрозділ «32 Лазерної спектроскопії напівпровідників і діелектриків» перейменовано на «6-2 Лабораторія радіоспектроскопії»
• Підрозділ «33 Лабораторія фізико-технологічних проблем твердотільної НВЧ електроніки» перейменовано на «7-1 Лабораторія фізико-технологічних проблем матеріалів НВЧ електроніки»
• Підрозділ «16 Відділ фотонних напівпровідникових структур» перейменовано на «8-1 Лабораторія фотонних напівпровідникових структур»
• Підрозділ «48 Лабораторія напівпровідникової інфрачервоної фотоелектроніки» перейменовано на «8-2 Лабораторія фізики і технології формування напівпровідникових структур»
• Підрозділ «47 Лабораторія мікросхемотехніки приймачів випромінювання» перейменовано на «8-3 Лабораторія мікросхемотехніки приймачів випромінювання»
• Підрозділ «36 Лабораторія фізико-технічних основ напівпровідникової фотоенергетики» перейменовано на «9-1 Лабораторія фізико-технічних основ напівпровідникової фотоенергетики»
• Підрозділ «37 Лабораторія нетрадиційних та відновлювальних джерел енергії» перейменовано на «9-2 Лабораторія нетрадиційних та відновлюваних джерел енергії»
• Підрозділ «35 Лабораторія фізичних основ електронних напівпровідникових мікро- та нанотехнологій» перейменовано на «9-3 Лабораторія фізичних основ електронних напівпровідникових мікро- та нанотехнологій»
• Підрозділ «10-1 Лабораторія фізики дефектів і нерівноважних процесів у складних напівпровідниках» переведено у підпорядкування підрозділу «10 Фізики оптоелектронних приладів»
• Підрозділ «10-2 Лабораторія технології матеріалів для оптоелектроніки» переведено у підпорядкування підрозділу «10 Фізики оптоелектронних приладів»
• Підрозділ «14-1 Лабораторія інтерференційної фотолітографії» переведено у підпорядкування підрозділу «14 Відділ поляритонної оптоелектроніки та технології наноструктур»
• Підрозділ «5-2 Лабораторія фізико-технічних основ оптоелектроніки» переведено у підпорядкування підрозділу «05 Оптоелектроніки»
• Підрозділ «8-1 Лабораторія фотонних напівпровідникових структур» переведено у підпорядкування підрозділу «08 Фізики і технології низьковимірних систем»
• Підрозділ «8-2 Лабораторія фізики і технології формування напівпровідникових структур» переведено у підпорядкування підрозділу «08 Фізики і технології низьковимірних систем»
• Підрозділ «8-3 Лабораторія мікросхемотехніки приймачів випромінювання» переведено у підпорядкування підрозділу «08 Фізики і технології низьковимірних систем»
• Підрозділ «9-1 Лабораторія фізико-технічних основ напівпровідникової фотоенергетики» переведено у підпорядкування підрозділу «09 Фізики поверхні та напівпровідникової нанофотоніки»
• Підрозділ «9-2 Лабораторія нетрадиційних та відновлюваних джерел енергії» переведено у підпорядкування підрозділу «09 Фізики поверхні та напівпровідникової нанофотоніки»
• Підрозділ «9-3 Лабораторія фізичних основ електронних напівпровідникових мікро- та нанотехнологій» переведено у підпорядкування підрозділу «09 Фізики поверхні та напівпровідникової нанофотоніки»
• Ліквідовано підрозділ «07 Відділ напівпровідникової фотоенергетики і фізики поверхні»
• Ліквідовано підрозділ «39 Лабораторія оптичних та оптоелектронний реєструючих середовищ»
• Ліквідовано підрозділ «40 Науково-дслідна лабораторія окисних нанорозмірних елементів сенсорної та прозорої електроніки»
• Ліквідовано підрозділ «44 Лабораторія резонаторних джерел інфрачервоного випромінювання»
• Ліквідовано підрозділ «45 Лабораторія анізотропних напівпровідників»

26.06.2016

• Створено підрозділ «57 Відділ інформаційно-комунікаційних технологій» у безпосередньому підпорядкуванні організації

25.06.2016

• Підрозділ «34 Лабораторія оптичної субмікронної спектроскопії» перейменовано на «34 Лабораторія оптичної субмікронної спектроскопії»

26.05.2016

• Підрозділ «57 Відділ інформаційно-комунікаційних технологій» перейменовано на «57 Відділ інформаційно-комунікаційних технологій»
• Створено підрозділ «0» у безпосередньому підпорядкуванні організації
• Створено підрозділ «01 Відділ структурного аналізу матеріалів і систем» у безпосередньому підпорядкуванні організації
• Підрозділ «01 Теоретичної фізики» переведено у безпосереднє підпорядкування організації
• Створено підрозділ «03 Відділ електричних і гальваномагнітних властивостей напівпровідників» у безпосередньому підпорядкуванні організації
• Створено підрозділ «04 Відділ фізики дефектів і нерівноважних процесів у складних напівпровідниках» у безпосередньому підпорядкуванні організації
• Створено підрозділ «05 Відділ іонно-променевої інженерії» у безпосередньому підпорядкуванні організації
• Створено підрозділ «06 Відділ напівпровідникової нанофотоніки» у безпосередньому підпорядкуванні організації
• Створено підрозділ «07 Відділ напівпровідникової фотоенергетики і фізики поверхні» у безпосередньому підпорядкуванні організації
• Створено підрозділ «08 Відділ оптоелектронних світлогенеруючих приладів і систем» у безпосередньому підпорядкуванні організації
• Створено підрозділ «09 Відділ фізики оптоелектронних приладів» у безпосередньому підпорядкуванні організації
• Створено підрозділ «10 Відділ фізико-технічних основ оптоелектроніки» у підрозділі «08 Відділ оптоелектронних світлогенеруючих приладів і систем»
• Створено підрозділ «11 Відділ напівпровідникових гетероструктур» у безпосередньому підпорядкуванні організації
• Створено підрозділ «12 Відділ фізико-технологічних основ сенсорного матеріалознавства» у безпосередньому підпорядкуванні організації
• Створено підрозділ «13 Відділ оптоелектронних функціональних перетворювачів» у безпосередньому підпорядкуванні організації
• Створено підрозділ «14 Відділ поляритонної оптоелектроніки та технології наноструктур» у безпосередньому підпорядкуванні організації
• Створено підрозділ «15 Відділ фізики і технології низьковимірних систем» у безпосередньому підпорядкуванні організації
• Створено підрозділ «15 Функціональних матеріалів і структур» у безпосередньому підпорядкуванні організації
• Створено підрозділ «16 Відділ фотонних напівпровідникових структур» у безпосередньому підпорядкуванні організації
• Створено підрозділ «19 Відділ розробки і флуктуаційного аналізу напівпровідникових матеріалів і структур» у безпосередньому підпорядкуванні організації
• Створено підрозділ «20 Відділ хімії напівпровідників» у безпосередньому підпорядкуванні організації
• Створено підрозділ «21 Відділ фотохімічних явищ в напівпровідниках» у безпосередньому підпорядкуванні організації
• Створено підрозділ «23 Лабораторія технології матеріалів для оптоелектроніки» у підрозділі «04 Відділ фізики дефектів і нерівноважних процесів у складних напівпровідниках»
• Створено підрозділ «30 Відділ науково-організаційний» у безпосередньому підпорядкуванні організації
• Створено підрозділ «31 Лабораторія електронно-зондових методів структурного і елементарного аналізу напівпровідникових матеріалів і систем» у підрозділі «01 Відділ структурного аналізу матеріалів і систем»
• Створено підрозділ «32 Лазерної спектроскопії напівпровідників і діелектриків» у підрозділі «0»
• Створено підрозділ «33 Лабораторія фізико-технологічних проблем твердотільної НВЧ електроніки» у підрозділі «03 Відділ електричних і гальваномагнітних властивостей напівпровідників»
• Створено підрозділ «34 Лабораторія оптичної субмікронної спектроскопії» у підрозділі «0»
• Створено підрозділ «35 Лабораторія фізичних основ електронних напівпровідникових мікро- та нанотехнологій» у підрозділі «06 Відділ напівпровідникової нанофотоніки»
• Створено підрозділ «36 Лабораторія фізико-технічних основ напівпровідникової фотоенергетики» у підрозділі «07 Відділ напівпровідникової фотоенергетики і фізики поверхні»
• Створено підрозділ «37 Лабораторія нетрадиційних та відновлювальних джерел енергії» у підрозділі «06 Відділ напівпровідникової нанофотоніки»
• Створено підрозділ «38 Лабораторія "Центр випробувань і діагностики напівпровідникових джерел світла та освітлювальних систем на їх основі"» у підрозділі «08 Відділ оптоелектронних світлогенеруючих приладів і систем»
• Створено підрозділ «39 Лабораторія оптичних та оптоелектронних реєструючих середовищ» у підрозділі «09 Відділ фізики оптоелектронних приладів»
• Створено підрозділ «40 Науково-дслідна лабораторія окисних нанорозмірних елементів сенсорної та прозорої електроніки» у підрозділі «11 Відділ напівпровідникових гетероструктур»
• Створено підрозділ «41 Лабораторія модуляційно-поляризаційної спектроскопії» у підрозділі «11 Відділ напівпровідникових гетероструктур»
• Створено підрозділ «42 Лабораторія багатофункціональних композитних матеріалів» у підрозділі «11 Відділ напівпровідникових гетероструктур»
• Створено підрозділ «43 Лабораторія напівпровідникових сенсорів ультрафіолетового випромінювання» у підрозділі «11 Відділ напівпровідникових гетероструктур»
• Створено підрозділ «44 Лабораторія резонаторних джерел інфрачервоного випромінювання» у підрозділі «11 Відділ напівпровідникових гетероструктур»
• Створено підрозділ «45 Лабораторія анізотропних напівпровідників» у підрозділі «11 Відділ напівпровідникових гетероструктур»
• Створено підрозділ «46 Лабораторія фізико-технологічних проблем сенсорної електроніки» у підрозділі «11 Відділ напівпровідникових гетероструктур»
• Створено підрозділ «47 Лабораторія мікросхемотехніки приймачів випромінювання» у підрозділі «15 Відділ фізики і технології низьковимірних систем»
• Створено підрозділ «48 Лабораторія напівпровідникової інфрачервоної фотоелектроніки» у підрозділі «16 Відділ фотонних напівпровідникових структур»
• Створено підрозділ «49 Лабораторія оптоелектронних молекулярно-напівпровідникових систем» у підрозділі «15 Функціональних матеріалів і структур»
• Створено підрозділ «56 Тендерний комітет» у безпосередньому підпорядкуванні організації
• Створено підрозділ «63 Науково-технічна бібліотека» у безпосередньому підпорядкуванні організації
• Створено підрозділ «68 Відділ метрології» у безпосередньому підпорядкуванні організації
• Створено підрозділ «72 Відділ економічного аналізу та планування науково-дослідних робіт» у безпосередньому підпорядкуванні організації
• Створено підрозділ «73 Служба охорони праці» у безпосередньому підпорядкуванні організації
• Створено підрозділ «76 Відділ наукових кадрів та аспірантури» у безпосередньому підпорядкуванні організації
• Створено підрозділ «77 Режимно-секретний відділ» у безпосередньому підпорядкуванні організації

01.03.2015

01.01.2015

• Підрозділ «Бухгалтерія» перейменовано на «Бухгалтерія»
• Підрозділ «Відділ сторожевої охорони» перейменовано на «Відділ сторожевої охорони»
• Ліквідовано підрозділ «Внесіть поточну назву в історію назв підрозділу установи»

01.01.2004