Можливо, ви намагаєтесь звернутися до цього сайту із захищеного браузера на сервері. Увімкніть сценарії та перезавантажте сторінку.
Увімкнення більш доступного режиму
Вимкнення більш доступного режиму
Пропустити команди стрічки
Перейти до основного вмісту
Вимкнути анімацію
Увімкнути анімацію
Увійти
Національна академія наук України
Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова
Структура
Про установу
Дирекція
Структура
Наукові кадри
Перелік працівників за посадами, освітньо-кваліфікаційним рівнем тощо
Наукові напрями
Гранти
Повідомлення
Новини, оголошення та анонси установи
Заходи
Публікації
Контакти
Контактні дані та адреса установи
NAS Ukraine
Державні нагороди та відзнаки
НАН України
Вибрано
Академія пропонує
Апарат Президії НАН України
Аспірантури, докторантури
Багатотомне видання
Відділення
Діяльність
Доповідь на засіданні колегіального органу
Засідання колегіального органу
Кадри
Книжкова серія
Книжкове видання
Колегіальний орган
Конкурс
Конкурсна робота
Концепція
Міжнародне співробітництво
Нагороди
Наукова молодь
Наукові та науково-популярні заходи НАН України
Наукові та науково-прикладні розробки
Центри колективного користування приладами НАН України
Red
Інформаційне наповнення сайту
bcs
Наукові підрозділи
Так
Так
10%,90%
Дирекція
Наукові підрозділи
Колегіальні органи
Вчена рада Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України
Вчена рада Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України
Наукові підрозділи
01 Теоретичної фізики
02 Структурного і елементного аналізу матеріалів і систем
02-1 Лабораторія електронно-зондових методів діагностики матеріалів
03 Ростових технологій напівпровідникових матеріалів і структур
04 Іонно-променевої інженерії
05 Оптоелектроніки
5-1 Лабораторія "Центр випробувань і діагностики напівпровідникових джерел світла та освітлювальних систем на їх основі "
5-2 Лабораторія фізико-технічних основ оптоелектроніки
06 Оптики і спектроскопії напівпровідникових і діелектричних матеріалів
6-1 Лабораторія оптичної субмікронної спектроскопії
6-2 Лабораторія радіоспектроскопії
07 Електричних і гальваномагнітних властивостей напівпровідників
7-1 Лабораторія фізико-технологічних проблем матеріалів НВЧ електроніки
08 Фізики і технології низьковимірних систем
8-1 Лабораторія фотонних напівпровідникових структур
8-2 Лабораторія фізики і технології формування напівпровідникових структур
8-3 Лабораторія мікросхемотехніки приймачів випромінювання
09 Фізики поверхні та напівпровідникової нанофотоніки
9-1 Лабораторія фізико-технічних основ напівпровідникової фотоенергетики
9-2 Лабораторія нетрадиційних та відновлюваних джерел енергії
9-3 Лабораторія фізичних основ електронних напівпровідникових мікро- та нанотехнологій
10 Фізики оптоелектронних приладів
10-1 Лабораторія фізики дефектів і нерівноважних процесів у складних напівпровідниках
10-2 Лабораторія технології матеріалів для оптоелектроніки
11 Відділ напівпровідникових гетероструктур
11-1 Лабораторія фізики і техніки модуляційної поляриметрії
11-2 Лабораторія багатофункціональних композитних матеріалів
11-3 Лабораторія напівпровідникових сенсорів УФ та ІЧ випромінювання
11-4 Лабораторія фізико-технологічних проблем сенсорної електрроніки
12 Відділ фізико-технологічних основ сенсорного матеріалознавства
13 Хіміко-технологічний
14 Відділ поляритонної оптоелектроніки та технології наноструктур
14-1 Лабораторія інтерференційної фотолітографії
15 Функціональних матеріалів і структур
15-1 Лабораторія оптоелектронних молекулярно-напівпровідникових систем
16 Функціональних перетворювачів для сенсорної техніки
Центр колективного користування приладами «Діагностика напівпровідникових матеріалів, структур та приладних систем» НАН України
Історія змін структури установи
01.01.2019
Підрозділ «
01 Теоретичної фізики
» перейменовано на «
01 Відділ теоретичної фізики
»
Підрозділ «
01 Теоретичної фізики
» перейменовано на «
01 Теоретичної фізики
»
Підрозділ «
01 Відділ структурного аналізу матеріалів і систем
» перейменовано на «
02 Структурного і елементного аналізу матеріалів і систем
»
Підрозділ «
31 Лабораторія електронно-зондових методів структурного і елементарного аналізу напівпровідникових матеріалів і систем
» перейменовано на «
02-1 Лабораторія електронно-зондових методів діагностики матеріалів
»
Підрозділ «
19 Відділ розробки і флуктуаційного аналізу напівпровідникових матеріалів і структур
» перейменовано на «
03 Ростових технологій напівпровідникових матеріалів і структур
»
Підрозділ «
05 Відділ іонно-променевої інженерії
» перейменовано на «
04 Іонно-променевої інженерії
»
Підрозділ «
08 Відділ оптоелектронних світлогенеруючих приладів і систем
» перейменовано на «
05 Оптоелектроніки
»
Підрозділ «
0
» перейменовано на «
06 Оптики і спектроскопії напівпровідникових і діелектричних матеріалів
»
Підрозділ «
03 Відділ електричних і гальваномагнітних властивостей напівпровідників
» перейменовано на «
07 Електричних і гальваномагнітних властивостей напівпровідників
»
Підрозділ «
15 Відділ фізики і технології низьковимірних систем
» перейменовано на «
08 Фізики і технології низьковимірних систем
»
Підрозділ «
06 Відділ напівпровідникової нанофотоніки
» перейменовано на «
09 Фізики поверхні та напівпровідникової нанофотоніки
»
Підрозділ «
09 Відділ фізики оптоелектронних приладів
» перейменовано на «
10 Фізики оптоелектронних приладів
»
Підрозділ «
04 Відділ фізики дефектів і нерівноважних процесів у складних напівпровідниках
» перейменовано на «
10-1 Лабораторія фізики дефектів і нерівноважних процесів у складних напівпровідниках
»
Підрозділ «
23 Лабораторія технології матеріалів для оптоелектроніки
» перейменовано на «
10-2 Лабораторія технології матеріалів для оптоелектроніки
»
Підрозділ «
41 Лабораторія модуляційно-поляризаційної спектроскопії
» перейменовано на «
11-1 Лабораторія фізики і техніки модуляційної поляриметрії
»
Підрозділ «
42 Лабораторія багатофункціональних композитних матеріалів
» перейменовано на «
11-2 Лабораторія багатофункціональних композитних матеріалів
»
Підрозділ «
43 Лабораторія напівпровідникових сенсорів ультрафіолетового випромінювання
» перейменовано на «
11-3 Лабораторія напівпровідникових сенсорів УФ та ІЧ випромінювання
»
Підрозділ «
46 Лабораторія фізико-технологічних проблем сенсорної електроніки
» перейменовано на «
11-4 Лабораторія фізико-технологічних проблем сенсорної електрроніки
»
Підрозділ «
20 Відділ хімії напівпровідників
» перейменовано на «
13 Хіміко-технологічний
»
Підрозділ «
21 Відділ фотохімічних явищ в напівпровідниках
» перейменовано на «
14-1 Лабораторія інтерференційної фотолітографії
»
Підрозділ «
49 Лабораторія оптоелектронних молекулярно-напівпровідникових систем
» перейменовано на «
15-1 Лабораторія оптоелектронних молекулярно-напівпровідникових систем
»
Підрозділ «
13 Відділ оптоелектронних функціональних перетворювачів
» перейменовано на «
16 Функціональних перетворювачів для сенсорної техніки
»
Підрозділ «
38 Лабораторія "Центр випробувань і діагностики напівпровідникових джерел світла та освітлювальних систем на їх основі"
» перейменовано на «
5-1 Лабораторія "Центр випробувань і діагностики напівпровідникових джерел світла та освітлювальних систем на їх основі "
»
Підрозділ «
10 Відділ фізико-технічних основ оптоелектроніки
» перейменовано на «
5-2 Лабораторія фізико-технічних основ оптоелектроніки
»
Підрозділ «
34 Лабораторія оптичної субмікронної спектроскопії
» перейменовано на «
6-1 Лабораторія оптичної субмікронної спектроскопії
»
Підрозділ «
32 Лазерної спектроскопії напівпровідників і діелектриків
» перейменовано на «
6-2 Лабораторія радіоспектроскопії
»
Підрозділ «
33 Лабораторія фізико-технологічних проблем твердотільної НВЧ електроніки
» перейменовано на «
7-1 Лабораторія фізико-технологічних проблем матеріалів НВЧ електроніки
»
Підрозділ «
16 Відділ фотонних напівпровідникових структур
» перейменовано на «
8-1 Лабораторія фотонних напівпровідникових структур
»
Підрозділ «
48 Лабораторія напівпровідникової інфрачервоної фотоелектроніки
» перейменовано на «
8-2 Лабораторія фізики і технології формування напівпровідникових структур
»
Підрозділ «
47 Лабораторія мікросхемотехніки приймачів випромінювання
» перейменовано на «
8-3 Лабораторія мікросхемотехніки приймачів випромінювання
»
Підрозділ «
36 Лабораторія фізико-технічних основ напівпровідникової фотоенергетики
» перейменовано на «
9-1 Лабораторія фізико-технічних основ напівпровідникової фотоенергетики
»
Підрозділ «
37 Лабораторія нетрадиційних та відновлювальних джерел енергії
» перейменовано на «
9-2 Лабораторія нетрадиційних та відновлюваних джерел енергії
»
Підрозділ «
35 Лабораторія фізичних основ електронних напівпровідникових мікро- та нанотехнологій
» перейменовано на «
9-3 Лабораторія фізичних основ електронних напівпровідникових мікро- та нанотехнологій
»
Підрозділ «
10-1 Лабораторія фізики дефектів і нерівноважних процесів у складних напівпровідниках
» переведено у підпорядкування підрозділу «
10 Фізики оптоелектронних приладів
»
Підрозділ «
10-2 Лабораторія технології матеріалів для оптоелектроніки
» переведено у підпорядкування підрозділу «
10 Фізики оптоелектронних приладів
»
Підрозділ «
14-1 Лабораторія інтерференційної фотолітографії
» переведено у підпорядкування підрозділу «
14 Відділ поляритонної оптоелектроніки та технології наноструктур
»
Підрозділ «
5-2 Лабораторія фізико-технічних основ оптоелектроніки
» переведено у підпорядкування підрозділу «
05 Оптоелектроніки
»
Підрозділ «
8-1 Лабораторія фотонних напівпровідникових структур
» переведено у підпорядкування підрозділу «
08 Фізики і технології низьковимірних систем
»
Підрозділ «
8-2 Лабораторія фізики і технології формування напівпровідникових структур
» переведено у підпорядкування підрозділу «
08 Фізики і технології низьковимірних систем
»
Підрозділ «
8-3 Лабораторія мікросхемотехніки приймачів випромінювання
» переведено у підпорядкування підрозділу «
08 Фізики і технології низьковимірних систем
»
Підрозділ «
9-1 Лабораторія фізико-технічних основ напівпровідникової фотоенергетики
» переведено у підпорядкування підрозділу «
09 Фізики поверхні та напівпровідникової нанофотоніки
»
Підрозділ «
9-2 Лабораторія нетрадиційних та відновлюваних джерел енергії
» переведено у підпорядкування підрозділу «
09 Фізики поверхні та напівпровідникової нанофотоніки
»
Підрозділ «
9-3 Лабораторія фізичних основ електронних напівпровідникових мікро- та нанотехнологій
» переведено у підпорядкування підрозділу «
09 Фізики поверхні та напівпровідникової нанофотоніки
»
Ліквідовано підрозділ «
07 Відділ напівпровідникової фотоенергетики і фізики поверхні
»
Ліквідовано підрозділ «
39 Лабораторія оптичних та оптоелектронний реєструючих середовищ
»
Ліквідовано підрозділ «
40 Науково-дслідна лабораторія окисних нанорозмірних елементів сенсорної та прозорої електроніки
»
Ліквідовано підрозділ «
44 Лабораторія резонаторних джерел інфрачервоного випромінювання
»
Ліквідовано підрозділ «
45 Лабораторія анізотропних напівпровідників
»
26.06.2016
Створено підрозділ «
57 Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
» у безпосередньому підпорядкуванні організації
25.06.2016
Підрозділ «
34 Лабораторія оптичної субмікронної спектроскопії
» перейменовано на «
34 Лабораторія оптичної субмікронної спектроскопії
»
26.05.2016
Підрозділ «
57 Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
» перейменовано на «
57 Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
»
Створено підрозділ «
0
» у безпосередньому підпорядкуванні організації
Створено підрозділ «
01 Відділ структурного аналізу матеріалів і систем
» у безпосередньому підпорядкуванні організації
Підрозділ «
01 Теоретичної фізики
» переведено у безпосереднє підпорядкування організації
Створено підрозділ «
03 Відділ електричних і гальваномагнітних властивостей напівпровідників
» у безпосередньому підпорядкуванні організації
Створено підрозділ «
04 Відділ фізики дефектів і нерівноважних процесів у складних напівпровідниках
» у безпосередньому підпорядкуванні організації
Створено підрозділ «
05 Відділ іонно-променевої інженерії
» у безпосередньому підпорядкуванні організації
Створено підрозділ «
06 Відділ напівпровідникової нанофотоніки
» у безпосередньому підпорядкуванні організації
Створено підрозділ «
07 Відділ напівпровідникової фотоенергетики і фізики поверхні
» у безпосередньому підпорядкуванні організації
Створено підрозділ «
08 Відділ оптоелектронних світлогенеруючих приладів і систем
» у безпосередньому підпорядкуванні організації
Створено підрозділ «
09 Відділ фізики оптоелектронних приладів
» у безпосередньому підпорядкуванні організації
Створено підрозділ «
10 Відділ фізико-технічних основ оптоелектроніки
» у підрозділі «
08 Відділ оптоелектронних світлогенеруючих приладів і систем
»
Створено підрозділ «
11 Відділ напівпровідникових гетероструктур
» у безпосередньому підпорядкуванні організації
Створено підрозділ «
12 Відділ фізико-технологічних основ сенсорного матеріалознавства
» у безпосередньому підпорядкуванні організації
Створено підрозділ «
13 Відділ оптоелектронних функціональних перетворювачів
» у безпосередньому підпорядкуванні організації
Створено підрозділ «
14 Відділ поляритонної оптоелектроніки та технології наноструктур
» у безпосередньому підпорядкуванні організації
Створено підрозділ «
15 Відділ фізики і технології низьковимірних систем
» у безпосередньому підпорядкуванні організації
Створено підрозділ «
15 Функціональних матеріалів і структур
» у безпосередньому підпорядкуванні організації
Створено підрозділ «
16 Відділ фотонних напівпровідникових структур
» у безпосередньому підпорядкуванні організації
Створено підрозділ «
19 Відділ розробки і флуктуаційного аналізу напівпровідникових матеріалів і структур
» у безпосередньому підпорядкуванні організації
Створено підрозділ «
20 Відділ хімії напівпровідників
» у безпосередньому підпорядкуванні організації
Створено підрозділ «
21 Відділ фотохімічних явищ в напівпровідниках
» у безпосередньому підпорядкуванні організації
Створено підрозділ «
23 Лабораторія технології матеріалів для оптоелектроніки
» у підрозділі «
04 Відділ фізики дефектів і нерівноважних процесів у складних напівпровідниках
»
Створено підрозділ «
30 Відділ науково-організаційний
» у безпосередньому підпорядкуванні організації
Створено підрозділ «
31 Лабораторія електронно-зондових методів структурного і елементарного аналізу напівпровідникових матеріалів і систем
» у підрозділі «
01 Відділ структурного аналізу матеріалів і систем
»
Створено підрозділ «
32 Лазерної спектроскопії напівпровідників і діелектриків
» у підрозділі «
0
»
Створено підрозділ «
33 Лабораторія фізико-технологічних проблем твердотільної НВЧ електроніки
» у підрозділі «
03 Відділ електричних і гальваномагнітних властивостей напівпровідників
»
Створено підрозділ «
34 Лабораторія оптичної субмікронної спектроскопії
» у підрозділі «
0
»
Створено підрозділ «
35 Лабораторія фізичних основ електронних напівпровідникових мікро- та нанотехнологій
» у підрозділі «
06 Відділ напівпровідникової нанофотоніки
»
Створено підрозділ «
36 Лабораторія фізико-технічних основ напівпровідникової фотоенергетики
» у підрозділі «
07 Відділ напівпровідникової фотоенергетики і фізики поверхні
»
Створено підрозділ «
37 Лабораторія нетрадиційних та відновлювальних джерел енергії
» у підрозділі «
06 Відділ напівпровідникової нанофотоніки
»
Створено підрозділ «
38 Лабораторія "Центр випробувань і діагностики напівпровідникових джерел світла та освітлювальних систем на їх основі"
» у підрозділі «
08 Відділ оптоелектронних світлогенеруючих приладів і систем
»
Створено підрозділ «
39 Лабораторія оптичних та оптоелектронних реєструючих середовищ
» у підрозділі «
09 Відділ фізики оптоелектронних приладів
»
Створено підрозділ «
40 Науково-дслідна лабораторія окисних нанорозмірних елементів сенсорної та прозорої електроніки
» у підрозділі «
11 Відділ напівпровідникових гетероструктур
»
Створено підрозділ «
41 Лабораторія модуляційно-поляризаційної спектроскопії
» у підрозділі «
11 Відділ напівпровідникових гетероструктур
»
Створено підрозділ «
42 Лабораторія багатофункціональних композитних матеріалів
» у підрозділі «
11 Відділ напівпровідникових гетероструктур
»
Створено підрозділ «
43 Лабораторія напівпровідникових сенсорів ультрафіолетового випромінювання
» у підрозділі «
11 Відділ напівпровідникових гетероструктур
»
Створено підрозділ «
44 Лабораторія резонаторних джерел інфрачервоного випромінювання
» у підрозділі «
11 Відділ напівпровідникових гетероструктур
»
Створено підрозділ «
45 Лабораторія анізотропних напівпровідників
» у підрозділі «
11 Відділ напівпровідникових гетероструктур
»
Створено підрозділ «
46 Лабораторія фізико-технологічних проблем сенсорної електроніки
» у підрозділі «
11 Відділ напівпровідникових гетероструктур
»
Створено підрозділ «
47 Лабораторія мікросхемотехніки приймачів випромінювання
» у підрозділі «
15 Відділ фізики і технології низьковимірних систем
»
Створено підрозділ «
48 Лабораторія напівпровідникової інфрачервоної фотоелектроніки
» у підрозділі «
16 Відділ фотонних напівпровідникових структур
»
Створено підрозділ «
49 Лабораторія оптоелектронних молекулярно-напівпровідникових систем
» у підрозділі «
15 Функціональних матеріалів і структур
»
Створено підрозділ «
56 Тендерний комітет
» у безпосередньому підпорядкуванні організації
Створено підрозділ «
63 Науково-технічна бібліотека
» у безпосередньому підпорядкуванні організації
Створено підрозділ «
68 Відділ метрології
» у безпосередньому підпорядкуванні організації
Створено підрозділ «
72 Відділ економічного аналізу та планування науково-дослідних робіт
» у безпосередньому підпорядкуванні організації
Створено підрозділ «
73 Служба охорони праці
» у безпосередньому підпорядкуванні організації
Створено підрозділ «
76 Відділ наукових кадрів та аспірантури
» у безпосередньому підпорядкуванні організації
Створено підрозділ «
77 Режимно-секретний відділ
» у безпосередньому підпорядкуванні організації
01.03.2015
01.01.2015
Підрозділ «
Бухгалтерія
» перейменовано на «
Бухгалтерія
»
Підрозділ «
Відділ сторожевої охорони
» перейменовано на «
Відділ сторожевої охорони
»
Ліквідовано підрозділ «
Внесіть поточну назву в історію назв підрозділу установи
»
01.01.2004
Актуальність, повноту і достовірність даних забезпечує:
Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова
©
Центр практичної інформатики НАН України
, 2017