Ukrainian
Summary:У монографії наведено аналіз літературних даних, систематизовано та узагальнено результати багаторічних досліджень структурних пошкоджень у напівпровідниках групи АШВУ, отримані у відділі радіаційної фізики Інституту ядерних досліджень НАН України. Проаналізовано особливості дії проникної радіації на оптичні та електрофізичні характеристики вибраних об’єктів. Розглянуто вплив термообробки на дефекти структури кристалів. Описано наслідки деградаційно-релаксаційних процесів в окремих сполуках AIIIBV, оброблених ультразвуком.
Reading audience:Для наукових працівників і фахівців з радіаційної фізики твердого тіла та фізики напівпровідників.
English
Summary:The monograph presents the literature analyze, systematized and generalized the results of many years researches of structural damages in the AІІІBV group semiconductors, obtained at the Department of Radiation Physics (Institute of Nuclear Research, NAS of Ukraine). The specifics of radiations effects on the optical and electro-physical characteristics of the selected objects are analyzed. The influence of heat treatment on crystals structure defects is considered. The consequences of the degradation-relaxation processes of some ultrasonically trea¬ted AIIIBV compounds are described.
Reading audience:It is designed for a wide range of scientists and specialists in areas of radiation sohd-state physics and semiconductor physics.