1.4. Діагностика та моделювання наносистем
Мета:В процесі проведення робіт потрібно розробити методичний підхід для комплексних кореляційних досліджень ефектів просторового впорядкування в напівпровідникових наноструктурах із квантовими точками (наноострівцями) в умовах просторово-неоднорідних деформаційних полів в буферних шарах методами скануючої зондової мікроскопії, конфокальної раманівської спектроскопії та високороздільної рентгенівської дифрактометрії. Очікувані науково-технічні результати: будуть адаптовані нанозондові, спектральні і дифрактометричні методти для комплексної неруйнівної діагностики наноструктур, які володітимуть просторовою роздільною здатністю співмірною із окремими нанооб'єктами, чи їх невеликими ансамблями. Методи пройдуть апробацію на реальних напівпровідникових структурах при дослідженні ефектів просторового впорядкування їх наноструктурних елементів, що дасть нову інформацію про особливості перебігу фізичних процесів структурної релаксації в зазначених гетероструктурах.
Очікувані результати:Випуск нового виду продукції: методів, теорій
Етап 1:Комплексні дослідження ролі механічних напружень в процесі 2D впорядкування щільних масивів квантових точок
Етап 2:Комплексні дослідження ефектів латерального впорядкування самоорганізованих SiGe наноострівців на напружених буферних шарах
Етап 3:Скануюча силова Кельвін-зонд мікроскопія та мікрораманівська спектроскопія вуглецевих наноструктур
Етап 4:Комплексні дослідження коливних, електронних і структурно-морфологічних властивостей багатошарових напівпровідникових приладних структур методами атомно-силової і Кельвін-зонд мікроскопії та конфокальнї раманівська спектроскопії
Етап 5:Реалізація нових можливостей картографування нанооб’єктів і композитів з електрично активними нановключеннями.