1.2. Фізика напівпровідникових наноструктур
Мета:Метою проекту є встановлення фізичних механізмів утворення нанорозмірних структур на поверхні напівпровідників при імпульсному лазерному опроміненні та розвиток фізико-технологічних основ створення нових матеріалів сучасної наноелектроніки.
Очікувані результати:Випуск нового виду продукції: технології
Етап 1:Дослідження характерних параметрів поверхневих наноструктур, отриманих при обробці імпульсами неодимового лазера методами АСМ і комбінаційного розсіяння світла.
Етап 2:Встановлення фізико-технологічних умов формування нанорозмірного рельєфу на поверхні кристалів Si, CdTe, GaAs, ZnCdTe та MnCdTe та його впорядкування.
Етап 3:Дослідження оптичних, фотоелектричних та фотолюмінесцентних властивостей наноструктур, утворених на поверхні CdTe, ZnCdTe, MnCdTe, GaAs.
Етап 4:Оптимізація методів лазерної обробки матеріалів для формування, модифікації і управління морфологією нанорозмірних структур.
Етап 5:Розробка фізичних моделей і фізико-технологічних основ утворення нанорозмірного рельєфу поверхні напівпровідників при їх опроміненні імпульсами рубінового та неодимового лазерів.