1.2. Physics of semiconductor nanostructures
Purpose:
Expected results:Issue of new types of products: methods, theories
Stage 1:Дослідження взаємодіючих плазмонів та оптичних фононів в полярних напівпровіднико-вих наноструктурах за суттєво нерівноважних умов, зокрема, при сильних електричних полях та струмах
Stage 2:Вивчення нових надвисокочастот-них електричних та оптичних ефектів, що обумовлені електрон-фононною взаємодією в наноструктурах та залежать від прикладених електричних полів та струмів
Stage 3:Розробка методів діагностики параметрів нерівноважних наноструктур; застосування цих методик до наноструктур та наноприладів на основі найбільш технологічних матеріалів – 3-5 з’єднань та нітридів групи 3
Stage 4:Розробка електричних методів контрольовано-го збудження плазмон-фононнних коливань в матеріалах 3-5 з’єднань та нітридів групи 3
Stage 5:Розробка ідейної бази створення новітніх приладів надвисокочастот-ної наноелектроніки, що використовують плазмон-фононні та поляритон-плазмонні коливання.