В Інституті фізики напівпровідників (ІФН) імені В.Є. Лашкарьова НАН України успішно функціонує єдиний у нашій країні комплекс, що займається створенням напівпровідникових матеріалів із унікальними властивостями, – «Науково-технічний комплекс для розробки методів одержання та фізичних досліджень кристалів і шарів напівпровідників та напівпровідникових сполук». Комплекс користується всесвітнім визнанням, а його розробки (що перебувають на рівні найкращих світових зразків у вказаній галузі, а в багатьох випадках – навіть перевершують їх) – великим попитом як на вітчизняному, так і на світових ринках.
Комплекс складається з технологічної, дослідницької та метрологічної ділянок, які включають 38 установок і пристроїв зарубіжного і вітчизняного походження, в тому числі й виробництва ІФН імені В.Є. Лашкарьова НАН України. Практично всі промислові установки модернізовані з метою адаптування до нових технологій. За своїми технологічними й дослідницькими можливостями в галузі технологій одержання германію та напівпровідникових матеріалів групи А2В6 комплекс є унікальним і не має аналогів у нашій державі.
Технологічні розробки фахівців комплексу спрямовані на формування необхідних фізичних властивостей напівпровідникових кристалів та їх шарів безпосередньо у процесі одержання. Передують цьому ретельні фізичні дослідження та як наслідок наукові обґрунтування розроблюваних методів. Крім вивчення властивостей створених напівпровідникових матеріалів, учені комплексу спільно з провідними європейськими науковими закладами та мікроелектронними центрами досліджують також механізми фізичних процесів, що відбуваються у напівпровідникових структурах і приладах мікро- й нанометрових розмірів.
Серед головних технологічних досягнень комплексу варто відзначити розроблення технології вирощування з газової фази великих монокристалів халькогенедів кадмію з рекордно високою оптичною міцністю, призначених для виготовлення робочих елементів лазерів, які використовувалися при створенні систем лазерної світлової локації літаків і кораблів, а також технології вирощування з газової фази великих монокристалів твердих розчинів сульфідів і селенідів цинку-кадмію, на основі яких було створено перші у світі електронно-променеві трубки зі збудженням електронним пучком (квантоскопи) із синім випромінюванням для систем лазерного проекційного кольорового телебачення із зображенням великих розмірів. Кристали халькогенедів кадмію, вирощувані в ІФН імені В.Є. Лашкарьова НАН України, знайшли застосування у вітчизняній електронній промисловості та постачалися за контрактом відомій аерокосмічній компанії США «McDonnell Douglas Corporation».
До останніх здобутків учених інституту належить технологія створення запатентованого в Україні та впровадженого у власне виробництво нового матеріалу інфрачервоної техніки – об’ємних кристалів оптичного германію, легованого натрієм, одержання якого вважалося раніше неможливим. Кристали цього матеріалу пройшли апробацію на підприємствах різних країн світу: перевагу їх оптичних характеристик порівняно із традиційним оптичним германієм підтверджено спеціальними вимірюваннями.
Науково-технологічний комплекс ІФН імені В.Є. Лашкарьова НАН України є єдиним в Україні виробником оптичного германію та єдиним у світі виробником германію, легованого натрієм. Останній із двох згаданих матеріалів протягом низки років постачався за контрактами до США, ФРН, Швейцарії, Австрії, Латвії та інших країн.
Унікальні вироби з оптичного германію, легованого натрієм, – пластини великої площі, що створені й виробляються на обладнанні комплексу академічного інституту, – входять до комплектації українських танків «Оплот», а також використовуються для створення оптичних систем космічної, авіаційної та інших галузей.
 На фото:вгорі – танк «Оплот» (загальний вигляд), внизу – приклад застосування пластин з оптичного германію у приладах нічного виявлення, наведення та прицілювання танка «Оплот» (червона стрілка вказує на захисний екран із пластини оптичного германію виробництва
ІФН імені В.Є. Лашкарьова НАН України; фото – скріншот сюжету телеканалу «ICTV»). Кожен танк укомплектовано чотирма такими пластинами різного розміру
|
 Заготовка захисного екрану для танка «Оплот» |
 Щойно вирощена кристалічна пластина з оптичного германію, розробленого й запатентованого ІФН імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
Нині на обладнанні комплексу започатковано роботи з одержання за допомогою нещодавно запатентованих фахівцями ІФН імені В.Є. Лашкарьова НАН України нових технологічних методів украй актуальних матеріалів – вирощуваних із газової фази великих монокристалів оксиду цинку та шарів магніторозведених матеріалів на основі оксиду цинку.
Унікальний науково-технічний комплекс ІФН імені В.Є. Лашкарьова НАН України забезпечений кадровими ресурсами, виробничими площами й інженерними комунікаціями, а перспективи його подальшого розвитку чітко окреслені.
Наукові результати співробітників комплексу опубліковані у трьох монографіях, виданих, зокрема, у Великій Британії та США, та понад 300 статтях у зарубіжних і вітчизняних фахових наукових журналах, доповідалися на 150 наукових конференціях (у тому числі й міжнародних). Учені цього комплексу отримали близько 40 патентів на винаходи, виконали 15 міжнародних контрактів і 20 договорів із українськими промисловими організаціями. Крім того, його співробітники й аспіранти підготували і захистили 3 докторські та 14 кандидатських дисертацій. Наукові й технологічні дослідження, здійснені фахівцями комплексу, відзначено двома Державними преміями України в галузі науки і техніки.
Бюро Відділення фізики і астрономії НАН України у своєму рішенні рекомендувало надати «Науково-технічному комплексу для розробки методів одержання та фізичних досліджень кристалів і шарів елементарних напівпровідників і напівпровідникових сполук» Інституту фізики імені В.Є. Лашкарьова НАН України (м. Київ) статус об’єкта національного надбання та включити його до Державного реєстру наукових об’єктів, що становлять національне надбання.
За інформацією Відділення фізики і астрономії НАН України