Ukrainian
Summary:У зв’язку з інтенсивним розвитком нанофізики та наноелектроніки, сучасний рівень науки і техніки потребує широкого дослідження приповерхневих шарів і об’єму напівпровідникових матеріалів. Кремній і германій та напівпровідникові сполуки типу АІІІВV, АIIВVI та АІІІВVI широко використовуються для виготовлення електронних приладів нового покоління, тому дослідження електронних явиш, що проявляються в оптичних спектрах приповерхневих шарів та об’єму цих матеріалів, є актуальним.
English
Summary:Due to the intensive development of nanophysics and nanoelectronics, the modern level of science and technology requires extensive research both the surface and volume of semiconductor materials. Silicon and germanium as well as III-V, II-VI and III-VI semiconductor compounds are widely used for the manufacture of the new generation electronic devices; therefore, the study of electron phenomena that manifests itself in the optical spectra of near-surface layers and volume of these materials is actual.