Ukrainian
Summary:Викладено теоретичні та експериментальні результати з використання низки силіцидів, нітридів і боридів туготопких металів у технології формування контактів для напівпровідникових приладів і НВІС. Автори, спираючись на власні дослідження та літературні дані, на конкретних прикладах показують перспективність використання фаз проникнення (TiNx, TiBx, ZrBx, NbNx) для створення контактів до широкозонних напівпровідників (GaP, SiC, GaN). Значне місце в монографії приділене застосуванню силіцидів у технології НВІС і для формування омічних контактів до карбіду кремнію, а також міжфазовим взаємодіям у багатошарових контактних системах до Si, GaAs та InP приладних структур.
Reading audience:Монографія розрахована на широке коло фахівців у галузі фізики та технології напівпровідникових приладів, а також на студентів і аспірантів відповідних спеціальностей.
Russian
Summary:Изложены теоретические и экспериментальные результаты по использованию ряда силицидов, нитридов и боридов тугоплавких металлов в технологии формирования контактов для полупроводниковых приборов и СБИС. Авторы, опираясь на собственные исследования и литературные данные,на конкретных примерах показывают перспективность использования фаз внедрения (TiNx,TiBx,ZrBx,NbNx) для создания контактов к широкозонным полупроводникам (GaP,SiC,GaN). Значительное место в монографии уделено применению силицидов в технологии СБИС и для формирования омических контактов к карбиду кремния, а также межфазным взаимодействиям в многослойных контактных системах кSi,GaAs иInP приборным структурам.
Reading audience:Монография рассчитана на широкий круг специалистов в области физики и технологии полупроводниковых приборов, а также студентов и аспирантов соответствующих специальностей.